张伟钢
,
徐国跃
,
薛连海
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.04.003
通过从理论上分析介质层厚度、不同介质材料的折射率差及周期数对一维光子晶体红外发射率的影响规律，设计得到了可实现8~14μm 波段低红外发射率性能的 Ge/ZnS 一维光子晶体。随后采用光学镀膜技术在石英基片上通过交替沉积 Ge 层和 ZnS 层的方法制得所设计的一维光子晶体，并采用扫描电镜(SEM)及傅里叶变换红外光谱(FTIR)分别对其微结构及光谱发射率进行了系统研究。结果表明，所制备一维光子晶体在8~14μm 波段具有低红外发射率性能，其平均发射率可低至0.195。采用 Ge、ZnS 等无机半导体材料，通过合理的一维光子晶体设计同样可以获得低至0.2以下的红外发射率。
关键词:
红外发射率
,
一维光子晶体
,
光学镀膜技术
,
微结构
朱宇光
,
孙雯雯
,
方云团
人工晶体学报
为设计可调控的光开关, 本文设计了基于石墨烯的超材料和一维光子晶体的复合结构,应用传输矩阵法研究它的传输特性.石墨烯超材料的吸收和各向异性的特性导致结构的传输对电场极化方向特别敏感.通过电场极化方向的旋转,可以动态调节电磁波的透射和吸收,也可以实现电磁波从全透射到全反射或者全吸收的完全转化.
关键词:
光开关
,
石墨烯
,
超材料
,
一维光子晶体
,
极化
